存儲(chǔ)顆粒主要有這樣的一些品牌：美國(guó)的Micron（美光）、德國(guó)的Infineon（英飛凌）；韓國(guó)的SAMSUNG（三星）、HY（現(xiàn)代）；日本的NEC（日本電氣）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(東芝)；臺(tái)灣的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（鈺創(chuàng)）、Winbond（華邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先進(jìn)）、Nanya（南亞）。
有的品牌現(xiàn)在已經(jīng)沒(méi)有被采用了，只有在SDRAM時(shí)代采用過(guò)，有的品牌在DDR時(shí)代采用的也不多了。顯存種類主要分SD和DDR兩種，有時(shí)候，他們可以從編號(hào)上區(qū)分，DDR的可能會(huì)注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要從管角數(shù)量上來(lái)區(qū)分，以TSOP封裝來(lái)說(shuō)，SDRAM的管腳數(shù)量是27x2＝54，DDR的管腳數(shù)量為33X2=66。
美光（Micron）
圖1 美光芯片顆粒
美光是美國(guó)第一大、全球第二大內(nèi)存芯片廠商，目前顯卡廠商采用它顯示芯片較少，它主要供應(yīng)內(nèi)存OEM商，下面用上圖的實(shí)例對(duì)Micron（美光）顆粒編號(hào)的簡(jiǎn)單含義作介紹：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——內(nèi)存顆粒容量為8M。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
顆粒編號(hào)MT 48LC8M8A2 TG-75，從編號(hào)上的48很容易知道這是SDRAM顆粒，采用TSOP封裝方式，速度為7.5ns，單顆粒為8M，位寬8bit。
億恒（In fineon）
圖2 Infineon（億恒）顆粒
Infineon是德國(guó)西門子的一個(gè)分公司，它主要生產(chǎn)內(nèi)存顆粒。目前，Infineon在全球排名已經(jīng)躍居為第四位，超過(guò)了韓國(guó)的Hynix。它的編號(hào)簡(jiǎn)單，編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。它的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。
用實(shí)例如上圖對(duì)它顆粒編號(hào)的簡(jiǎn)單介紹：
HYB－內(nèi)存編號(hào)開(kāi)頭
25－25是時(shí)間（周）
D－D代表DDR顆粒，S代表SDR顆粒
128－128代表單顆容量為128/8=16M
32－32表示位寬32bit
3.3－3.3代表顆粒速度
這顆編號(hào)為HYB25D128323C-3.3，編號(hào)中正數(shù)第10、11位，也就是“32”代表了該顆粒的數(shù)據(jù)輸出位寬。32也就是單顆32位。順便說(shuō)一下，這是DDR SGRAM顯存顆粒。
韓國(guó)三星（Samsung）
目前使用三星的內(nèi)存顆粒來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場(chǎng)上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復(fù)雜。三星內(nèi)存顆粒的型號(hào)采用一個(gè)15位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識(shí)別，所以我們重點(diǎn)介紹這兩部分的含義。
下面簡(jiǎn)單對(duì)三星的顆粒編號(hào)作一個(gè)介紹：
編碼規(guī)則：K 4 X X X X X X XX - X X X X
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說(shuō)明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量，容量相同的顆粒采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。
第6、7位——表示顆粒位寬，16代表16位；32代表32位；64代表64位。
第11位－－空格，沒(méi)有實(shí)際意義。
第12、13位――為速度標(biāo)志。
第14、15位——芯片的速率數(shù)據(jù)。
圖3 三星顆粒（左邊為采用TSOP封裝DDR顆粒，右邊為采用TSOP封裝的SD顆粒）
圖4 采用mBGA封裝方式的DDR顯存顆粒
韓國(guó)現(xiàn)代（Hynix）
圖5 現(xiàn)代的顆粒（左圖為DDR顆粒，右圖為SD顆粒）
圖6 采用mBGA封裝方式的顆粒
韓國(guó)現(xiàn)代公司的顯存，應(yīng)該為大多數(shù)朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的產(chǎn)品線也是很豐富的，在內(nèi)存中，現(xiàn)代HY是物美價(jià)廉的代表。第一個(gè)編號(hào)為HY5DV641622AT-36的顆粒，它是DDR顯存顆粒，第4位的字母“D”即代表為DDR，單顆64/8＝8MB，速度為3.6ns；第二顆編號(hào)為HY57V641620HG T-6，它是SDR顆粒，它的第6、7兩位標(biāo)稱了顯存單顆粒為64/8＝8MB，8，9兩位代表了顯存位寬為16bit，T-6表示速度為6ns，一般以-2A的標(biāo)識(shí)方式進(jìn)行標(biāo)注。
臺(tái)灣晶豪電子
圖7 EilteMT顆粒
臺(tái)灣晶豪電子是臺(tái)灣5大內(nèi)存芯片廠商之一，它近年來(lái)發(fā)展迅速，主要中國(guó)大陸顯卡商采用它的顆粒較多。這顆顯存編號(hào)為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對(duì)應(yīng)的運(yùn)行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封裝日期為99年第48周；第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數(shù)據(jù)帶寬為32bit。
圖8 ESMT顆粒
這顆顯存編號(hào)為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/8＝16MB，8、9位表示位寬16bit，最后的-4T表示速度為4ns。
臺(tái)灣鈺創(chuàng)科技
圖9 鈺創(chuàng)顆粒
臺(tái)灣鈺創(chuàng)科技為最近興起的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域里的一顆新星，它的內(nèi)存顆粒被各大顯卡產(chǎn)商大量采用，品質(zhì)性能都非常不錯(cuò)。這顆顯存編號(hào)為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創(chuàng))顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數(shù)據(jù)帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。
南亞科技（NANYA）
南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年臺(tái)灣內(nèi)存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號(hào)為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
臺(tái)灣華邦（winbond）
圖11 winbond顆粒
臺(tái)灣華邦為臺(tái)灣5大內(nèi)存芯片廠商之一，近年來(lái)，大陸客戶采用它的內(nèi)存顆粒較多，因此為我們較熟悉的一種品牌。這顆粒編號(hào)為W946432AD-5H，第1位W為臺(tái)灣華邦顯存顆粒開(kāi)頭標(biāo)志，編號(hào)中的4、5為64表示單顆顯存為64/8=8Mb，第6、7為32表示單顆粒位寬為32位，第9位D表示位DDR顆粒，后面的第11、12位表示顆粒速度位5ns。
臺(tái)灣茂矽（MOSEL）
圖12 MOSEL顯存顆粒
臺(tái)灣茂矽科技是臺(tái)灣一家較大的內(nèi)存芯片廠商，對(duì)大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號(hào)為V54C365164VDT45，從編號(hào)的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8MB，從編號(hào)的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號(hào)的最后3位T45可知顆粒速度為4.5ns。
上一篇：電子元器件內(nèi)存現(xiàn)貨市場(chǎng)洞察報(bào)告
下一篇：芯片封裝之多少與命名規(guī)則 - 完 -